Cũng là một chíp nhớ truy cập ngẫu nhiên nhưng MRAM có lợi thế không làm mất nội dung lưu trữ với tốc độ đọc và ghi dữ liệu nhanh như các chíp nhớ dùng công nghệ SRAM và DRAM và có thể lưu trữ dữ liệu trong nhiều năm như bộ nhớ Flash.

Công nghệ MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) đã được giới thiệu một thời gian, nhưng biến thể vừa được phát triển bởi TDK mới hơn nhiều.

Tại triển lãm Ceatec đang diễn ra ở Tokyo, Nhật Bản, TDK đã giới thiệu nguyên mẫu chíp STT-MRAM mà công ty phát triển trong nhiều năm qua. Nguyên mẫu này có thể đọc và ghi dữ liệu nhiều lần giống như chíp NOR Flash. Đáng chú ý, chíp MRAM của TDK cho tốc độ đọc và ghi dữ liệu nhanh hơn so với bộ nhớ Flash khoảng 7 lần.

TDK cũng trình diễn một nguyên mẫu wafer 8-inch sử dụng chíp MRAM được sản xuất cho mục đích thử nghiệm từ Headway Technologies, một công ty đối tác với TDK có trụ sở tại Milpitas, California (Mỹ). Headway không có khả năng sản xuất chíp nhớ số lượng lớn, vì vậy TDK như là một đối tác sản xuất chíp cho công ty này.

Vẫn chưa có dự đoán chính xác về tương lai dành cho chíp MRAM, nhưng TDK cho biết có thể mất khoảng 10 năm để công nghệ này trưởng thành, đủ cho hoạt động sản xuất hàng loạt.

TDK không phải là công ty duy nhất đang cố gắng nghiên cứu để thương mại hóa STT-MRAM. Đối thủ của TDK là Everspin Technologies có trụ sở ở Chandler, Arizona (Mỹ) đã bắt đầu cung cấp số lượng nhỏ STT-MRAM trên một số sản phẩm, bao gồm bộ nhớ đệm bên trong ổ đĩa SSD của Buffalo.